2024-07-30
芯速联高速硅光芯片及模块项目荣获硅基光电子三年优秀成果奖
芯速联荣幸获邀参与成果展第十五届中国光电子产业博览会线下展出活动，作为国内首批实现自研高速率硅光芯片设计和量产的公司，芯速联基于Hyper Silicon™平台自主研发的400G/800G高速硅光芯片及光模块研发与产业化取得了“硅基光电子三年优秀成果”荣誉奖。
本届北京光博会重点展现光电子领域的技术前沿和市场趋势，芯速联与众多光电领域的科研院所和高校、国内外联合创新型重点实验室，在“硅基光电子三年优秀成果”展区展示最新的科研成果和技术创新。
硅光芯片
芯速联基于Hyper Silicon™平台自主研发的硅光调制芯片能够提供超过35GHz的调制带宽，满足单波长100G PAM-4及200G PAM-4的应用需求，适用于400G DR4、800G DR8、800G DR4及1.6T DR16 COBO等多种应用场景。基于该芯片开发的光模块在发射眼图、消光比和接收端灵敏度等关键性能指标上远超国际标准，支持超过10公里的传输距离，显著提升了光模块的应用范围。
高速光模块产业化
芯速联致力于推动硅光技术进步和硅光模块产业发展，计划于2024年第三季度实现1.6T光模块及单波200G产品的量产，以满足未来更高速AI算力与超算中心光互联的需求。公司通过自主研发和生产，降低了核心产品技术和关键封装工艺的成本，实现了行业领先的垂直整合能力。
芯速联运营管理部总监张享在获奖致辞中表示：“芯速联基于Hyper Silicon™平台自主研发的硅光调制芯片已经在量产中取得优异成绩。我们将继续加大研发投入，保持技术领先，致力于推动光电子产业的不断进步，为客户提供更加卓越的产品和服务。”
芯速联光电将继续以创新为驱动，致力于引领硅光电子技术的发展，为全球客户提供高性能、高可靠性的光通信解决方案。如有兴趣敬请联系：market@hyper-silicon.com。
